실리콘 광전소자의 제조방법Method of manufacturing silicon photomultiplier
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
| dc.contributor.author | 설우석 | ko |
| dc.contributor.author | 이병주 | ko |
| dc.contributor.author | 황해철 | ko |
| dc.contributor.author | 박남수 | ko |
| dc.contributor.author | 유동은 | ko |
| dc.contributor.author | 이동욱 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T15:38:25Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T15:38:25Z | - |
| dc.date.issued | 2018-10-30 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/255197 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 관점에 따르면, 실리콘 광전소자의 기판 상에 스핀 코팅 공정으로 도펀트 물질을 함유하는 층을 형성하고 패터닝함으로써 제 1 웰(well)을 형성하기 위한 영역을 덮는 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴을 형성하는 제 1 단계; 상기 기판 및 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴을 덮는 제 1 캐핑막을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 제 1 캐핑막을 제거하지 않은 상태에서 제 1 어닐링 공정을 수행함으로써, 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴으로부터 도펀트가 상기 기판 밖으로 확산되었다가 상기 기판 중에서 상기 제 1 웰을 형성하기 위한 영역 이외의 영역으로 다시 들어가는 것을 방지하면서, 상기 도펀트 물질을 함유하는 패턴으로부터 상기 기판 내로 도펀트를 확산시켜 상기 제 1 웰을 형성하는 제 3 단계;를 포함하는, 실리콘 광전소자의 제조방법을 제공한다. | - |
| dc.title | 실리콘 광전소자의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Method of manufacturing silicon photomultiplier | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 설우석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이병주 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 황해철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박남수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유동은 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이동욱 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0071827 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1915219-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-06-08 | - |
| dc.date.registration | 2018-10-30 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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