단일 사건 현상과 누적 이온화 현상에 강인한 내방사선 단위 모스펫SINGLE EVENT EFFECT AND TOTAL IONIZING EFFECT HARDENED N-MOSFET LAYOUT
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | ko |
| dc.contributor.author | 노영탁 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:58:15Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T14:58:15Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254639 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 누적 이온화 현상으로 인해 발생하는 누설전류 경로를 차단하고 단일 사건으로 발생한 전류 펄스의 영향을 감소시키는 내방사선 단위 모스펫(MOSFET)에 관한 것으로, 게이트(gate) 영역 및 적어도 하나의 더미 게이트(Dummy gate) 영역을 지정하는 폴리 게이트 레이어(poly gate layer), 소스(source) 및 드레인(drain), 상기 소스 및 드레인에 P+ 영역을 지정하는 P+ 레이어 및 P-액티브 레이어와 전압 인가가 가능한 더미 드레인(Dummy Drain)를 포함한다. 전술한 본 발명에 따르면, 입자 방사선과 전자파 방사선이 존재하는 방사선 환경에서도 정상적으로 동작하는 전자부품을 제공할 수 있다. | - |
| dc.title | 단일 사건 현상과 누적 이온화 현상에 강인한 내방사선 단위 모스펫 | - |
| dc.title.alternative | SINGLE EVENT EFFECT AND TOTAL IONIZING EFFECT HARDENED N-MOSFET LAYOUT | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 노영탁 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0080899 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1927667-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-07-12 | - |
| dc.date.registration | 2018-12-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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