DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
dc.contributor.author | 이병주 | ko |
dc.contributor.author | 임부택 | ko |
dc.contributor.author | 설우석 | ko |
dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:57:19Z | - |
dc.date.available | 2019-04-15T14:57:19Z | - |
dc.date.issued | 2019-01-02 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254611 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 다결정실리콘 승온소자 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 위에 제1 절연막과 비정질탄소막을 순차적으로 증착하는 단계; 상기 비정질탄소막을 노광 및 식각하여 트렌치 라인을 형성하는 단계; 전체표면 상부에 제2 절연막을 증착하는 단계; 상기 제2 절연막 위에 다결정실리콘을 증착 후 노광 및 식각하여 승온소자 의 패드부와 히터부를 형성하는 단계; 전체표면 상부에 제3 절연막을 증착 후 승온소자의 패드부와 히터부의 표면을 노출시키는 단계; 및 상기 히터부의 하부 비정질탄소막을 제거하여 빈공간을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. | - |
dc.title | 다결정실리콘 승온소자 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Polysilicon Heater Device and Method for Fabricating Thereof | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이병주 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 임부택 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 설우석 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0064084 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1936123-0000 | - |
dc.date.application | 2017-05-24 | - |
dc.date.registration | 2019-01-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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