DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 조병진 | ko |
dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
dc.contributor.author | 윤성준 | ko |
dc.contributor.author | 박관용 | ko |
dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:44:46Z | - |
dc.date.available | 2019-04-15T14:44:46Z | - |
dc.date.issued | 2018-12-19 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254375 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 다공성 물질의 표면에 존재하는 기공을 화학 기상 증착(initiated chemical vapor deposition, iCVD) 법으로 고분자박막을 형성하여 실링하는 방법 및 그로부터 유발되는 절연상수의 증가를 최소화 하는 기법을 제공하는 것이다. | - |
dc.title | 다공성 절연물질 표면의 선택적 실링 방법 | - |
dc.title.alternative | METHOD OF SURFACE LOCALIZED PORE SEALING OF POROUS DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 윤성준 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박관용 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0036080 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1932763-0000 | - |
dc.date.application | 2017-03-22 | - |
dc.date.registration | 2018-12-19 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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