단일 사건 현상과 누적 이온화 현상에 강인한 내방사선 입체 단위 모스펫TOTAL IONIZATION DOSE EFFECT AND SINGLE EVENT EFFECT HARDENED THREE DIMENSIONAL MOSFET STRUCTURE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이희철 | ko |
| dc.contributor.author | 노영탁 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:18:26Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T14:18:26Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254068 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 내방사선 입체 단위 모스펫(3-dimensional MOSFET)에 관한 것으로, 누적 사건 영향과 단일 사건 영향을 최소화하기 위하여 더미 드레인(Dummy Drain; DD), N-웰 레이어(N-well layer; NW), 딥 N-웰 레이어(Deep N-well layer; DNW) 및 P+ 레이어(P+ layer) 중 적어도 어느 하나 이상을 선택적으로 추가한 내방사선 입체 단위 모스펫을 제안한다. | - |
| dc.title | 단일 사건 현상과 누적 이온화 현상에 강인한 내방사선 입체 단위 모스펫 | - |
| dc.title.alternative | TOTAL IONIZATION DOSE EFFECT AND SINGLE EVENT EFFECT HARDENED THREE DIMENSIONAL MOSFET STRUCTURE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이희철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 노영탁 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0101106 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1948481-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-08-28 | - |
| dc.date.registration | 2019-02-08 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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