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InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor ballasted with extended ledge resistor = 레지부분 베이스 저항으로 열 안정화된 InGaP/GaAs 이종접합 바이폴라 트랜지스터link Jeon, Sang-Hoon; 전상훈; et al, 한국과학기술원, 2001 |
Microwave performance improvement of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor using the selective lateral etching technique = 선택적 측면 식각 방법을 이용한 AlGaAs/GaAs 이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 고주파 성능 향상link Kim, Dong-Hyun; 김동현; et al, 한국과학기술원, 1998 |
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