TLC 낸드 플래시 저장 장치를 위한 비 이진 저밀도 검사 부호 복호기 구현

Abstract

낸드 플래시 메모리의 직접도가 증가함에 따라 수명이 급격히 감소하고 있다. 따라서 현재 사용하고 있는 오류 정정 부호보다 더 강력한 부호의 필요성이 증가하고 있다. 본 논문에서는 현재 대중적으로 사용되고 있는 이진 저밀도 패리티 검사 부호보다 더 강력한 오류 정정 능력을 갖고 있는 비 이진 저밀도 패리티 검사 부호를 TLC 낸드 플래시 메모리에 적용하는 방안에 대해 제안한다. TLC 낸드 플래시의 채널 특성을 이용하여, 일부의 메모리만 이용하여 비 이진 저밀도 패리티 검사 부호의 복호기를 구현했다. 또한, 구현된 복호기의 체크, 가변 노드의 업데이트의 타당성에 대한 분석을 진행하였다. 부호는 (1536, 192) GF(8)의 특성을 가지며, 트렐리스 기반의 최대최소 알고리즘을 이용하여 구현되었다. 이 복호기는 모든 메모리를 이용한 복호기에 비해 미미한 성능 열화가 있었지만, 메모리를 약 45% 줄이는 장점을 갖는다.