저항 변화 메모리

Abstract

본 발명은 저항 변화 메모리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저항 변화 메모리는 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부 및 제2 전극과 제3 전극 사이에 형성되고, 제2 전극과 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 메모리부의 데이터 판독 시 메모리부의 저항 값에 따라 제1 전극과 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 두 개의 저항 변화 물질층 중 하나를 스위치로 이용함으로써, 기존의 다이오드 또는 트랜지스터와 같은 스위칭 소자들에 비해 작은 면적에서도 큰 전류를 흘릴 수 있으며, 빠른 스위칭이 가능하다. 또한, 메모리 셀의 구조 자체도 간단하여 집적도 면에서 매우 유리하며, 크로스바(crossbar) 구조의 메모리 어레이에서 발생할 수 있는 인접소자 간의 간섭현상을 제거할 수 있다. 두 개의 직렬 연결된 저항변화메모리(twin-Resistor Random Access Memory, R2RAM), 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 저항변화소자메모리(Resistance Random Access Memory)