충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리FLASH MEMORY USING IMPACT IONIZATION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-21T00:42:19Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-21T00:42:19Z | - |
| dc.date.issued | 2010-11-15 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236854 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따른 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자는 기판, 상기 기판에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 기판상에 형성되되 상기 소스의 연직 상부와 상기 드레인의 연직 상부 사이에 상기 드레인 측으로 치우쳐 형성되는, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층 및 상기 게이트 절연막층상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 게이트 절연막층은 상기 기판상에 순서대로 적층된 터널 산화막, 트랩 질화막 및 블록 산화막을 포함한다. | - |
| dc.title | 충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리 | - |
| dc.title.alternative | FLASH MEMORY USING IMPACT IONIZATION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0010884 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0995535-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-02-11 | - |
| dc.date.registration | 2010-11-15 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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