DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-21T00:42:17Z | - |
dc.date.available | 2017-12-21T00:42:17Z | - |
dc.date.issued | 2011-09-15 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236853 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 광소자 제조 방법은 기판상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계; 상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성한 후 제1 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계; 및 상기 활성 반도체층으로 입사되는 빛을 투과시키고 이외의 영역에 입사되는 빛을 차단하는 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. | - |
dc.title | 광소자 및 이의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0111360 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1066436-0000 | - |
dc.date.application | 2010-11-10 | - |
dc.date.registration | 2011-09-15 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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