다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법Multi layer nanogap structure and Its manufacturing method
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-21T00:41:48Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-21T00:41:48Z | - |
| dc.date.issued | 2011-10-25 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236833 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 원자의 크기레벨로 나노갭(nanogap)의 위치, 폭 및 깊이의 조정이 가능하고 다수의 나노갭을 동시에 형성할 수 있는 다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서에 적용될 수 있는, 직선형의 나노갭이 일정 간격을 두고 반복적으로 나타나는 배열의 나노갭 구조와 그 제조방법을 제공한다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 표면 증강 라만 산란(SERS)를 이용한 단분자 검출 센서용 구조에 있어서, 기판; 및 상기 기판 위에 순차적으로 증착되는 희생층 및 강화층;을 포함하되, 상기 희생층 및 강화층은 적어도 한 번 이상 반복적으로 증착되고, 상기 기판, 희생층 및 강화층으로 형성된 구조에서 적어도 하나의 측면부에는, 상기 기판과 강화층 사이 또는 각각의 강화층 사이의 희생층의 소정영역이 제거되어 상기 기판 또는 강화층이 돌출됨으로써 형성되는 적어도 하나 이상의 나노갭을 구비하는 것을 특징으로 하는 다중 적층 나노갭 구조를 제공한다. | - |
| dc.title | 다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Multi layer nanogap structure and Its manufacturing method | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0017158 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1078184-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-02-25 | - |
| dc.date.registration | 2011-10-25 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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