평면형/수직형 진공 터널링 트랜지스터

Abstract

본 발명은 ，MOSFET일 것인 평면 구조 또는 수직 구조를 채택하고 집적도를 높임과 동시에 저전압이라도 구동한 것이 가능하도록 한 평면 형/수직형 진공 터널 트랜지스터(VFT)에 관한다．평면형 진공 전계 트랜지스터는 ，진공 채널을 사이에 두고 채널 절연체의 위에 소정의 거리에 좌우에 형성된 도전체의 소스와 드레인과 ，상기 소스와 드레인의 아래에 소정의 폭에 형성된 도전체의 게이토와 ，상기 소스와 드레인으로부터 상기 게이토를 절연하기 위한 채널 절연체와 ，채널 절연체와 게이토를 지지하기 위한 절연 보디로 된다．수직형 진공 터널 트랜지스터는 ，채널 절연체의 위에 ，그 중심부를 제외한 주위에 형성된 도전체의 소스와 ，상기 채널 절연체의 하부에 상기 소스에 걸치고 형성된 도전체의 게이토와 ，상기 게이토와 상기 채널 절연체를 지지하기 위한 절연 보디와 ，밀폐된 진공 채널을 형성한 상기 소스의 상부에 형성된 절연벽과 ，상기 진공 채널의 상부에 형성된 드레인으로 된다．평면형 및 수직형 진공 터널 트랜지스터는 ，상기 소스로부터 방출된 전자가 상기 진공 채널 영역을 통과하고 상기 드레인에 방출되도록，상기 게이토와 소스 및 드레인의 사이에 적절한 바이어스 전압을 인가한다．