실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의전이방법(Method for Transfer of High-Quality Thin Silicon FilmUsing Epitaxial Silicide Layer)
본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은 (1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와, (2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와, (3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2006-04-04
- Application Date
- 2004-08-31
- Application Number
- 10-2004-0069268
- Registration Date
- 2006-04-04
- Registration Number
- 10-0569881-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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