코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드에피층의 형성방법(Method for Fabricating Epitaxial Cobalt-DisilicideLayer Using Cobalt Nitride Film)
본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi2) 에피층의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2006-05-02
- Application Date
- 2003-12-16
- Application Number
- 10-2003-0092079
- Registration Date
- 2006-05-02
- Registration Number
- 10-0578104-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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