비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용비스무스-세리움 티탄산 박막Bismuth-cerium Titanate Thin Film for Capacitor ofFerroelectric Random Access Memory
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 우성일 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:37:43Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:37:43Z | - |
| dc.date.issued | 2003-01-22 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236134 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 장시간동안 사용하여도 박막의 피로현상이 없고, 낮은 열처리 온도에서도 뛰어난 전기적 특성을 나타내는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막 및 전기 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 비스무스-세리움 티탄산 박막의 제조방법은 Ce/(Ce+Bi)가 0.01 내지 0.99인 조성비를 갖는 비스무스 전구체 및 세리움 전구체의 혼합물과, 티타늄 전구체를 30 내지 800℃, 1x10-9Torr 내지 100atm에서 습식 증착방법 또는 건식 증착방법으로 기판에 증착시키는 단계 및 증착된 박막을 100 내지 600oC/분의 온도상승률 및 200 내지 800℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명의 비스무스-세리움 티탄산 박막은 자발분극(remnant polarization) 현상을 나타내고, 캐패시터의 피로현상이 나타나지 않으므로, 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리용 캐패시터로서 유용하게 활용될 수 있을것이다.비스무스-세리움 티탄산 박막, 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리용 캐패시터 | - |
| dc.title | 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용비스무스-세리움 티탄산 박막 | - |
| dc.title.alternative | Bismuth-cerium Titanate Thin Film for Capacitor ofFerroelectric Random Access Memory | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 우성일 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2001-0020068 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0371055-0000 | - |
| dc.date.application | 2001-04-14 | - |
| dc.date.registration | 2003-01-22 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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