DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 홍성철 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:34:46Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T12:34:46Z | - |
dc.date.issued | 2006-09-01 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236010 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 양자구조 적외선 수광소자에 관한 것으로서, 다이오드 형태의 양자구조 적외선 수광소자가 아닌, 양자우물이나 양자점과 헴트(HEMT ; High Electron Mobility Transistor)를 결합한 양자구조의 적외선 수광소자를 형성하여 높은 광전류를 가지고 CMOS 스위치 없이 수광소자 자체로 스위칭이 가능하며 수광소자 자체를 트랜지스터로서 ROIC(Read Out Integrated Circuit) 제작에 이용할 수 있도록 할 뿐만 아니라 게이트 금속 형태를 빗살 형태의 회절격자 형식으로 형성하여 적외선이 여러 방향으로 입사되도록 함으로써 양자 효율을 높일 수 있도록 한 것이다. | - |
dc.title | 양자구조 적외선 수광소자 | - |
dc.title.alternative | (QUANTUM STRUCTURE INFRARED DETECTION DEVICE) | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 홍성철 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2005-0014204 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0621873-0000 | - |
dc.date.application | 2005-02-21 | - |
dc.date.registration | 2006-09-01 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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