본 발명은 저전력 고속 반도체 소자에 관한 것으로서, 서브쓰레숄드(subthreshold)에서 동작하는 반도체 소자에서 소자의 몸체전압을 슬립모드(sleep-mode) 구조로 조절하여 소자의 문턱전압(threshold voltage)을 조절함으로써 보통은 높은 문턱전압 상태에 있다가 버스트모드(burst mode) 동작 시 문턱전압을 낮추어 서브쓰레숄드 드레인 전류를 지수 함수적으로 증가시켜 에너지 소모를 증가시키지 않고 높은 속도를 얻을 수 있는 이점이 있다.