일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법N-doped Carbon Nanotube Array Having Regular Wall-Number and Method for Manufacturing the Same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김상욱 | ko |
| dc.contributor.author | 이원종 | ko |
| dc.contributor.author | 이덕현 | ko |
| dc.contributor.author | 신동옥 | ko |
| dc.contributor.author | 이진아 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:30:13Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:30:13Z | - |
| dc.date.issued | 2011-12-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235892 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 블록 공중합체 나노템플릿(nanotemplate)에 증착각도를 조절하여 금속촉매 어레이를 증착한 후, 열처리 및 화학적 기상증착법(PECVD)에 의해 성장시킨 것을 특징으로 하는, 일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 제조 방법은 탄소나노튜브를 균일하게 대면적으로 제조할 수 있고, 금속촉매의 증착각도와 금속촉매의 크기를 조절하여 탄소나노튜브의 벽의 개수와 탄소나노튜브의 크기를 선택적으로 조절하는 것이 가능하고, 탄소나노튜브에 질소를 도핑시킴에 따라 우수한 전기전도도와 화학적 기능화 특성을 가진 탄소나노튜브 어레이를 제조할 수 있다. | - |
| dc.title | 일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | N-doped Carbon Nanotube Array Having Regular Wall-Number and Method for Manufacturing the Same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김상욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이원종 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이덕현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 신동옥 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이진아 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0050354 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1093201-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-06-08 | - |
| dc.date.registration | 2011-12-06 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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