관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로Current measuring element using through silicon via, method of manufacturing the same and current measuring circuit including the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김정호 | ko |
| dc.contributor.author | 김희곤 | ko |
| dc.contributor.author | 성하진 | ko |
| dc.contributor.author | 박준서 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:26:52Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:26:52Z | - |
| dc.date.issued | 2012-03-09 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235803 | - |
| dc.description.abstract | 전류 측정 소자는 제1 관통 실리콘 비아, 제2 관통 실리콘 비아들, 제3 관통 실리콘 비아들 및 전도성 패턴들을 포함한다. 제1 관통 실리콘 비아는 기판의 일면으로부터 다른 일면으로 관통하여 형성된다. 제2 관통 실리콘 비아들은 기판을 관통하여 형성된다. 제3 관통 실리콘 비아들은 제2 관통 실리콘 비아들에 비하여 제1 관통 실리콘 비아로부터 더 멀리 위치하도록 기판을 관통하여 형성된다. 전도성 패턴들은 제2 관통 실리콘 비아들 및 제3 관통 실리콘 비아들을 경유하는 코일 구조의 도전 경로를 형성하도록 제2 관통 실리콘 비아들과 제3 관통 실리콘 비아들을 서로 연결한다. 따라서 전류 측정 소자는 제1 관통 실리콘 비아를 통하여 흐르는 입력 전류에 응답하여 코일 구조의 도전 경로 상에 형성되는 유도 전압에 기초하여 입력 전류의 세기를 정밀하게 측정할 수 있다. | - |
| dc.title | 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로 | - |
| dc.title.alternative | Current measuring element using through silicon via, method of manufacturing the same and current measuring circuit including the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김정호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김희곤 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 성하진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박준서 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0131095 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1127478-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-12-21 | - |
| dc.date.registration | 2012-03-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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