규화금속 나노와이어의 제조방법Fabrication Method of Metal Silicide Nanowire
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김봉수 | ko |
| dc.contributor.author | 서관용 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:26:08Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:26:08Z | - |
| dc.date.issued | 2012-02-08 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235773 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 조성을 포함한 상(phase)을 제어할 수 있는 규화금속 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 단결정체의 규화금속 나노와이어(I)를 산화 분위기에서 어닐링(annealing)하여 상기 나노와이어(I) 표면에 산화규소층을 형성한 후, 상기 산화규소층을 제거하여 단결정체의 금속-리치(metal-rich)한 규화금속 나노와이어어(II)를 제조하는 특징이 있다. | - |
| dc.title | 규화금속 나노와이어의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication Method of Metal Silicide Nanowire | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김봉수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 서관용 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0082389 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1116697-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-09-02 | - |
| dc.date.registration | 2012-02-08 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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