대면적 나노스케일 패턴형성방법Fabrication method of large area nanoscale pattern

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dc.contributor.author이영재ko
dc.contributor.author유경종ko
dc.contributor.author김진수ko
dc.contributor.author이준ko
dc.contributor.author이용인ko
dc.contributor.author윤준보ko
dc.contributor.author연정호ko
dc.contributor.author이주형ko
dc.contributor.author이정언ko
dc.date.accessioned2017-12-20T12:18:12Z-
dc.date.available2017-12-20T12:18:12Z-
dc.date.issued2013-01-17-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/235709-
dc.description.abstract본 발명은 보호층으로 격리된 다층의 메인 박막을 형성하는 1단계와 제1메인박막을 패터닝하여 제1메인 패턴을 형성하는 2단계, 상기 제1메인패턴을 기준으로 제1스페이서패턴을 형성하는 3단계, 상기 제1스페이서패턴을 제2메인박막에 전사하여 제2메인패턴을 형성하는 4단계를 포함하여 구성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법을 제공할 수 있도록 한다.본 발명에 따르면, 이종(異種)의 보호막으로 격리되어 다층 중첩된 메인 박막을 사용하여, 패턴 피치를 저감할 수 있는 스페이서 리소그라피를 반복적으로 시행할 수 있어, 마이크로미터 스케일의 패턴을 형성한 후 형태의 왜곡 없이 반복적으로 패턴 피치를 줄여나감으로써, 나노미터 스케일의 미세 패턴을 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 구현할 수 있는 효과가 있다.-
dc.title대면적 나노스케일 패턴형성방법-
dc.title.alternativeFabrication method of large area nanoscale pattern-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor윤준보-
dc.contributor.nonIdAuthor이영재-
dc.contributor.nonIdAuthor유경종-
dc.contributor.nonIdAuthor김진수-
dc.contributor.nonIdAuthor이준-
dc.contributor.nonIdAuthor이용인-
dc.contributor.nonIdAuthor연정호-
dc.contributor.nonIdAuthor이주형-
dc.contributor.nonIdAuthor이정언-
dc.contributor.assignee한국과학기술원,엘지이노텍 주식회사-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2010-0129255-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1225601-0000-
dc.date.application2010-12-16-
dc.date.registration2013-01-17-
dc.publisher.countryKO-
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