관통실리콘비아를 갖는 반도체칩에서 크로스토크 차폐를 위한 쉴딩구조SHIELDING STRUCTURE FOR CROSSTALK SHELDING IN SEMICONDUCTOR CHIP WITH THROUGH SILICON VIA
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김정호 | ko |
| dc.contributor.author | 이준호 | ko |
| dc.contributor.author | 이형동 | ko |
| dc.contributor.author | 김현석 | ko |
| dc.contributor.author | 김가원 | ko |
| dc.contributor.author | 조종현 | ko |
| dc.contributor.author | 이상록 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:15:04Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:15:04Z | - |
| dc.date.issued | 2011-08-31 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235645 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 관통실리콘비아간의 크로스토크를 차폐하고 기판노이즈를 최소화할 수 있는 반도체칩을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체칩은 실리콘기판; 상기 실리콘기판을 관통하는 복수의 관통실리콘비아; 및 적어도 어느 하나의 상기 관통실리콘비아의 주변을 에워싸는 크로스토크쉴딩부를 포함하고, 상술한 본 발명은 관통실리콘비아의 주변을 에워싸는 크로스토크쉴딩부를 구비함으로써 관통실리콘비아간의 크로스토크를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한, 본 발명은 캐패시터를 이용하여 관통실리콘비아의 주변을 에워쌈으로써 관통실리콘비아간의 크로스토크 및 기판노이즈를 방지할 수 있는 효과가 있다. | - |
| dc.title | 관통실리콘비아를 갖는 반도체칩에서 크로스토크 차폐를 위한 쉴딩구조 | - |
| dc.title.alternative | SHIELDING STRUCTURE FOR CROSSTALK SHELDING IN SEMICONDUCTOR CHIP WITH THROUGH SILICON VIA | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김정호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이준호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이형동 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김현석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김가원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 조종현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이상록 | - |
| dc.contributor.assignee | 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0048140 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1062848-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-06-01 | - |
| dc.date.registration | 2011-08-31 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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