전이금속 박막의 식각방법

Abstract

전이금속 박막의 식각방법에 대해서 개시한다. 본 발명은 루테늄, 이리듐, 로듐, 백금, 니켈 및 구리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 전이금속 박막이 형성된 반도체 기판을 반응기내로 로딩하는 단계; 및 상기 반응기내로 할로겐 가스 및 할로겐류 가스 중에서 선택된 적어도 하나의 제1가스와 탄소 산화물계 가스, 탄화수소계 가스, 질소 산화물계 가스 및 질소계 가스 중에서 선택된 어느 하나인 제2가스를 순차적으로 또는 동시에 혼합가스 형태로 주입하여 상기 전이금속 박막을 휘발성 화합물로 전환시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전이금속 박막의 식각방법을 제공한다.즉 본 발명에 따르면, 전이금속 박막과 반응가스의 화학적 반응에 의해 저온에서도 휘발성이 강한 화합물이 형성되므로, 이러한 휘발성 화합물의 기화 또는 승화에 의해 재증착되는 부산물 없이 높은 식각속도로 식각이 가능하다. 따라서 양호한 프로파일의 미세패턴을 형성할 수 있다. 또한 화학적 반응에 의하여 식각이 이루어지므로 마스크와 하부물질에 대해 높은 선택성을 나타낼 수 있게 된다.