초고주파용 전계효과 트랜지스터 회로의 게이트단자파형 왜곡 제어회로(CIRCUIT FOR CONTROLLING THE GATE TERMINAL WAVEFORM DISORTION OF VERY HIGH FREQUENCY FET CIRCUIT)

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초고주파 증폭기나 발진기 등 비선형 동작을 하는 회로에서, 전계효과 트랜지스터의 게이트 정전용량에 따른 임피던스의 비선형성에 의하여 발생하는 파형의 왜곡을 제어하는 회로이다. 초고주파 FET 회로의 게이트 정전용량의 비선형성에 의한 효율의 저하를 제어하기 위하여 종래에 썼던 커패시터 등의 선형소자를 비선형소자인 다이오드로 대체하여, FET의 게이트단자에서의 파형 왜곡을 제어함으로써 초고주파 회로의 전력 변환 효율을 높일 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2000-01-05
Application Date
1996-10-30
Application Number
10-1996-0049982
Registration Date
2000-01-05
Registration Number
10-0250628-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/235528
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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