N-형반도체다이아몬드의제조방법FABRICATION METHOD OF N TYPE SEMICONDUCTOR
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 유진 | ko |
| dc.contributor.author | 이운선 | ko |
| dc.contributor.author | 김정근 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:10:55Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:10:55Z | - |
| dc.date.issued | 2000-01-21 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235525 | - |
| dc.description.abstract | n-형 반도체 다이아몬드를 제조하는 방법으로 CVD방법을 이용하여 다이아몬드증착과 동시에 불순물을 도핑한다. N-형 불순물로써 Li화합물과 B화합물을 동시에 도핑한후, 다이아몬드의 표면을 에칭하여 n-형반도체 다이아몬드를 제조하는 방법으로 비저항 특성이 1O-2Ωcm이하의 우수한 특성을 나타내는 다이아몬드를 제조하는 발명이다. | - |
| dc.title | N-형반도체다이아몬드의제조방법 | - |
| dc.title.alternative | FABRICATION METHOD OF N TYPE SEMICONDUCTOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 유진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이운선 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정근 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1997-0007294 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0253115-0000 | - |
| dc.date.application | 1997-03-05 | - |
| dc.date.registration | 2000-01-21 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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