DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이창수 | ko |
dc.contributor.author | 안병태 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:08:16Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T12:08:16Z | - |
dc.date.issued | 2013-01-22 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235427 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 도펀트의 주기적 주입을 통하여 유기금속 화학 기상 증착법에 의한 박막 태양전지용 산화아연 투명 전도막의 제조 방법에 관한 것으로서, 아연 함유 유기 금속 및 산소함유 기체를 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 동시에 전도성 향상을 위해 3족 원소를 포함하는 기체 및 유기금속물질을 주기적으로 반응기에 주입하고, 5 mmHg의 압력, 150도 정도의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서 반응시켜, 우수한 전기 전도도 및 광 투과도를 가지며 입사빔의 흡수를 극대화 시킬 수 있는 높은 표면 거칠기를 가진 산화아연 투명 전도막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 발명에 따른 도펀트의 주기적 도입을 통한 유기금속 화학 기상 증착법에 의하면, 투명 전도막의 대량생산이 가능하고 전도도 향상을 위해 도펀트로 사용되는 유기금속 물질 및 기체의 양을 획기적으로 줄일 수 있다. | - |
dc.title | 도펀트의 주기적 주입을 이용한 유기금속 화학 기상 증착법에 의해 형성된 투명 전도막 및 이의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Transparent conducting layer deposited by metal-organic chemical vapor deposition with cyclic supply of dopant | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이창수 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0002647 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1227111-0000 | - |
dc.date.application | 2011-01-11 | - |
dc.date.registration | 2013-01-22 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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