신규한 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 유도체 및 이들의 고분자중합체를 함유하는 포토레지스트

Abstract

본 발명은 신규한 아크릴레이트(acrylate) 또는 메타크릴레이트(metacrylate) 유도체 및 이들의 고분자 중합체를 함유하는 포토레지스트(photoresisit)에 관한 것이다.상기 중합체는 기존의 포토레지스트의 매트릭스 고분자로 사용되는 것들과는 달리, 광산에 의해 화학증폭형으로 실리콘을 함유하고 있는 측쇄가 탈리되어 노광부와 비노광부의 실리콘 함량의 차이를 유도할 수 있다. 실리콘 함량의 차이는 산소 플라즈마에 대해 에칭속도의 차이를 일으키고 이것에 의해 건식현상이 가능하다.본 발명에 의한 포토레지스트 물질을 미세가공기술에 적용하면 아스펙트비가 증가함에 따라 발생하는 패턴의 변형이나 붕괴를 막을 수 있다는 건식현상의 일반적인 장점 외에 기존의 실릴화(silylation)나 다층레지스트 시스템(multi-level resist system)과 같은 건식현상형 레지스트에 비해 공정이 간단하고 용매를 전혀 사용하지 않기 때문에 이로 인한 경제적인 이득이 크다고 할 수 있다.