본 발명은 BJT 또는 공핍형 MOS를 이용할 수 없는 0.5㎛ DRAM 프로세스에서의 전력 온칩 전압 레퍼런스(low-power on-chip voltage reference)회로를 제공한다. PTAT(절대온도에 비례) 전압원 및 VT생성기를 사용한 본 발명의 전압 레퍼런스 회로는 증가형 MOS 트랜지스터로만 구성되었고, 8㎂보다 작은 전체 전류 및 2.8내지 4V 범위의 외부 전원 전압에서 상당히 양호한 성능을 달성할 수 있다.측정된 온도 계수는 0℃ 내지 100℃의 온도 범위에서 약 360PPm/℃이다.