양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법(Semiconductor Package Module Using Anodized Oxide Layer and Manufacturing Method Thereof)Semiconductor Package Module Using Anodized Oxide Layer and Manufacturing Method Thereof

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dc.contributor.author권영세ko
dc.contributor.author김경민ko
dc.date.accessioned2017-12-20T12:03:24Z-
dc.date.available2017-12-20T12:03:24Z-
dc.date.issued2009-04-14-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/235301-
dc.description.abstract수광 또는 발광소자를 사용하는 경우에도 효과적으로 기능이 발휘되고 다른 반도체 소자 및 부품과의 연결이 용이하도록, 양극산화막을 형성할 수 있는 재질로 형성되는 기판과, 기판 상에 형성되고 적어도 하나의 개구부를 갖는 산화물층과, 산화물층의 개구부 내에 실장되는 반도체 소자와, 산화물층 및 반도체 소자를 덮도록 형성되고 반도체 소자의 상면이 노출되도록 일부가 제거되는 유기물층과, 유기물층 또는 산화물층 상에 형성되고 반도체 소자와 연결되는 리드선을 포함하는 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈을 제공한다.-
dc.title양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법(Semiconductor Package Module Using Anodized Oxide Layer and Manufacturing Method Thereof)-
dc.title.alternativeSemiconductor Package Module Using Anodized Oxide Layer and Manufacturing Method Thereof-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor권영세-
dc.contributor.nonIdAuthor김경민-
dc.contributor.assignee(주)웨이브닉스이에스피,한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2007-0094584-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0894247-0000-
dc.date.application2007-09-18-
dc.date.registration2009-04-14-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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