금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘팁의 제조방법(Fa brication method of metal silicide and metalnitride bilayer coated Si tip)

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본 발명은 차세대 평판 디스플레이(Flat Panel Display)로 각광을 받고 있는 Field Emission Display(FED)용 전자 소스인 전계 방출 팁 (Field Emission Tip)의 전자 방출 특성 향상을 위한 실리콘 팁의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 실리콘 팁에 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층을 코팅하여 금속 실리사이드(metal silicide)의 특성인 낮은 저항, 화학적 안정성, 그리고 실리콘 공정과의 적용이 가능한 점과 금속 질화물(metal nitride)의 특성인 높은 경도와 녹는점, 낮은 일함수를 가지는 장점을 취하고자 이들을 이중층으로 실리콘 팁에 코팅한 실리콘 팁의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 금속 실리사이드 또는 금속 질화물 단독으로 코팅한 실리콘 팁의 문제점을 해결하고자 실리콘 팁에 금속 실리사이드와 금속 질화물을 이중층으로 코팅하여 금속 실리사이드 또는 금속 질화물을 단일층으로 코팅한 실리콘 팁의 경우 보다 방출 전류의 신뢰도와 안정성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2002-05-04
Application Date
2000-04-24
Application Number
10-2000-0021570
Registration Date
2002-05-04
Registration Number
10-0337022-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/234986
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MS-Patent(특허)
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