DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 안병태 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:54:35Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:54:35Z | - |
dc.date.issued | 2003-02-05 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234985 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다. | - |
dc.title | 황화카드뮴 막의 제조방법 및 장치 | - |
dc.title.alternative | (Manufacturing method and apparatus of CdS film) | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2000-0026610 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0372752-0000 | - |
dc.date.application | 2000-05-18 | - |
dc.date.registration | 2003-02-05 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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