금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의제조방법 및 동 방법에의한 다결정 규소박막(Fabrication method of polycrystalline silicon thinfilm using a solid phase silicon in metal alloys andpolycrystalline silicon thin film using same method)
본 발명은 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조된 규소박막에 관한 것이다. 발명의 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법은첨부한 도 1과 같이 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 금속내부에 규소(Si)가 고용된 금속을 통상의 스퍼터링 증착방법으로 증착한 후 열처리하는 단계와; 상기 열처리 후 냉각하는 단계와; 냉각 후 금속으로부터 석출된 단결정 규소만 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 남기고 선택적으로 금속을 제거하는 단계와; 유리기판 또는 실리콘 산화물 위의 단결정 규소는 통상의 플라즈마 증착방법 또는 저압화학기상법을 이용하여 비정질 규소로 증착하는 단계와; 상기 단계 후 비정질 규소를 열처리하는 단계로 구성된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2002-07-04
- Application Date
- 2000-08-28
- Application Number
- 10-2000-0050117
- Registration Date
- 2002-07-04
- Registration Number
- 10-0345037-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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