DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 유회준 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:54:06Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:54:06Z | - |
dc.date.issued | 2003-01-02 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234965 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 로우 애프터 칼럼(ROW AFTER COLUMN) 메모리 어드레싱 방법에 관한 것으로서, 특히 어드레싱 순서를 전환할 수 있게 함으로써 효율적인 메모리 어드레싱을 할 수 있는 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명의 실시예에 따른 로우 애프터 컬럼 메모리 어드레싱 방법은, 데이터 액세스를 위한 어드레스 입력시 그에 따른 컬럼 어드레스를 발생하여 컬럼 경로를 활성화시키는 제1단계와, 상기 데이터 액세스를 위한 어드레스 입력에 따른 로우 어드레스를 발생하여 로우 경로를 활성화시키는 제2단계를 하나의 주기로 하여 데이터를 액세스함으로서, 컬럼 어드레스(/CAS)를 나중에 입력하는 경우에 발생하는 파이프라인의 스톨현상을 제거하여 메모리 액세스 동작을 고속화함을 특징으로 한다. 컬럼 어드레스, 로우 어드레스, 메모리 | - |
dc.title | 메모리 어드레싱 방법 | - |
dc.title.alternative | METHOD FOR MEMORY ADDRESSING | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 유회준 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2000-0015405 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0368132-0000 | - |
dc.date.application | 2000-03-27 | - |
dc.date.registration | 2003-01-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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