고전압 전해축전지용 양극 전극의 제조방법

Abstract

본 발명은 고전압 전해축전지용 전극의 고면적 알루미늄 산화물 제조방법에 관한 것이다. 종래에 차세대 에너지 저장장치의 하나인 알루미늄 전해 축전지의 표면적 증가에 따른 축전용량을 증가시키는 방법으로서 산화(anodizing)를 통한 산화피막이 형성되어 있지 않은 순수한 알루미늄 박표면을 염화이온이 함유된 용액내에서 에칭(etching)하는 방법은 박표면에 형성된 자연피막의 영향으로 균일한 두께의 산화피막을 얻기 힘들고, 에칭 후 산화면적이 크므로 산화시간이 오래 걸리는 단점이 있다. 또한 황산이온을 첨가하여 표면적 증대를 기대한 다른 기존방법에서는 황산이온이 알루미늄 박의 전체표면에 흡착되므로 음극에 수화알루미늄황화물 침전물이 형성되어 전기적 특성을 감소시키는 영향이 있다. 본 발명은 에칭하기 전, 균일한 두께의 산화피막을 얻고, 선택적으로 에칭된 부분만 재산화하여 표면적이 증가된 산화피막을 제조하였다. 본 발명은 선택적으로 에칭된 부분만 재산화하므로서, 산화시간이 비교적 짧고, 산화피막이 노출된 부분에만 흡착되므로 터널 형성반응이 효과적으로 발생하는 장점이 있다. 또한 실제로 에칭후 재산화 공정을 첨가하므로써 초기 두께의 산화피막을 형성하면 교류임피던스 장치를 이용하여 증가된 정전용량 및 표면적을 단시간에 정확하게 알 수 있다. 본 발명은 균일한 두께와 넓은 표면적의 특성을 지니는 유전체 산화피막의 제조할 수 있게 되어 전해축전지의 정전용량을 증대시킬 수 있을 것으로 기대된다.