DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 함동석 | ko |
dc.contributor.author | 임선기 | ko |
dc.contributor.author | 박주일 | ko |
dc.contributor.author | 최광민 | ko |
dc.contributor.author | 정광은 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:53:17Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:53:17Z | - |
dc.date.issued | 2007-09-27 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234932 | - |
dc.description.abstract | 전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질을 제조하는 방법이 제공된다. 전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질을 제조하는 방법은 전이 금속 전구체와 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속의 전구체를 혼합하고, 혼합물을 투석하고, 투석된 졸을 진공 건조하고, 건조물을 소성하는 것을 포함한다. | - |
dc.title | 전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질 제조 방법과 이에 의해 제조된 물질 및 이 물질을 포함하는 필터, 팬 필터 유닛 및 클린룸 시스템 | - |
dc.title.alternative | Photocatalyst materials manufacturing method of transition metal ion added and 10㎚ mean particle diameter sized metal oxide having semiconductor characteristic, material manufactured thereby, and filter, fan filter unit and clean room system having the same material | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 임선기 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 함동석 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박주일 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 최광민 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 정광은 | - |
dc.contributor.assignee | 삼성전자주식회사,한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2006-0015792 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0763226-0000 | - |
dc.date.application | 2006-02-17 | - |
dc.date.registration | 2007-09-27 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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