전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질 제조 방법과 이에 의해 제조된 물질 및 이 물질을 포함하는 필터, 팬 필터 유닛 및 클린룸 시스템Photocatalyst materials manufacturing method of transition metal ion added and 10㎚ mean particle diameter sized metal oxide having semiconductor characteristic, material manufactured thereby, and filter, fan filter unit and clean room system having the same material

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dc.contributor.author함동석ko
dc.contributor.author임선기ko
dc.contributor.author박주일ko
dc.contributor.author최광민ko
dc.contributor.author정광은ko
dc.date.accessioned2017-12-20T11:53:17Z-
dc.date.available2017-12-20T11:53:17Z-
dc.date.issued2007-09-27-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/234932-
dc.description.abstract전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질을 제조하는 방법이 제공된다. 전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질을 제조하는 방법은 전이 금속 전구체와 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속의 전구체를 혼합하고, 혼합물을 투석하고, 투석된 졸을 진공 건조하고, 건조물을 소성하는 것을 포함한다.-
dc.title전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질 제조 방법과 이에 의해 제조된 물질 및 이 물질을 포함하는 필터, 팬 필터 유닛 및 클린룸 시스템-
dc.title.alternativePhotocatalyst materials manufacturing method of transition metal ion added and 10㎚ mean particle diameter sized metal oxide having semiconductor characteristic, material manufactured thereby, and filter, fan filter unit and clean room system having the same material-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor임선기-
dc.contributor.nonIdAuthor함동석-
dc.contributor.nonIdAuthor박주일-
dc.contributor.nonIdAuthor최광민-
dc.contributor.nonIdAuthor정광은-
dc.contributor.assignee삼성전자주식회사,한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2006-0015792-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0763226-0000-
dc.date.application2006-02-17-
dc.date.registration2007-09-27-
dc.publisher.countryKO-
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CBE-Patent(특허)
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