전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질 제조 방법과 이에 의해 제조된 물질 및 이 물질을 포함하는 필터, 팬 필터 유닛 및 클린룸 시스템Photocatalyst materials manufacturing method of transition metal ion added and 10㎚ mean particle diameter sized metal oxide having semiconductor characteristic, material manufactured thereby, and filter, fan filter unit and clean room system having the same material
전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질을 제조하는 방법이 제공된다. 전이 금속 이온이 첨가된 평균 입경 10㎚ 이하 크기의 반도체성 금속 산화물로 이루어진 광촉매 물질을 제조하는 방법은 전이 금속 전구체와 산화물이 반도체 특성을 나타내는 금속의 전구체를 혼합하고, 혼합물을 투석하고, 투석된 졸을 진공 건조하고, 건조물을 소성하는 것을 포함한다.
- Assignee
- 삼성전자주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2007-09-27
- Application Date
- 2006-02-17
- Application Number
- 10-2006-0015792
- Registration Date
- 2007-09-27
- Registration Number
- 10-0763226-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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