DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 양민양 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:51:29Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:51:29Z | - |
dc.date.issued | 2012-09-04 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234873 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 플라즈마 형성시간 측정방법은, 기판상에 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 상기 소수성 코팅층 상에 측정대상물질을 박막 증착하는 단계; 레이저를, 상기 기판의, 상기 소수성 코팅층이 형성된 면과 반대쪽의 면에 주사하는 단계; 상기 소수성 코팅층이 제거된 패턴의 크기가 상기 레이저의 초점 크기보다 큰지 같은지를 확인하는 단계;상기 소수성 코팅층이 제거된 패턴의 크기가 상기 레이저의 초점 크기보다 큰 경우에는, 상기 레이저의 펄스 폭을 점차 줄여가면서, 상기 소수성 코팅층이 제거된 패턴의 크기가 상기 레이저의 초점 크기와 같게 되는 시점을 포착하고, 상기 소수성 코팅층이 제거된 패턴의 크기가 상기 레이저의 초점 크기와 같은 경우에는, 상기 레이저의 펄스 폭을 점차 늘여가면서, 상기 소수성 코팅층이 제거된 패턴의 크기가 상기 레이저의 초점 크기보다 크게 되는 시점을 포착하는 단계; 및 상기 포착된 시점에서의 펄스폭을 상기 레이저에 의한 플라즈마 형성시간으로 구하는 단계;를 포함한다. | - |
dc.title | 플라즈마 형성시간 측정방법 | - |
dc.title.alternative | Method for measuring plasma formation time | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 양민양 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0011502 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1181307-0000 | - |
dc.date.application | 2011-02-09 | - |
dc.date.registration | 2012-09-04 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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