헤테로다인 간섭 리소그래피 장치, 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법, 웨이퍼 및 반도체 소자Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

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dc.contributor.author양민양ko
dc.contributor.author강봉철ko
dc.contributor.author이주형ko
dc.contributor.author김건우ko
dc.contributor.author노지환ko
dc.date.accessioned2017-12-20T11:42:51Z-
dc.date.available2017-12-20T11:42:51Z-
dc.date.issued2013-01-30-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/234567-
dc.description.abstract본 발명은 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치 및 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법에 대한 것이다. 두 개 또는 그 이상의 각기 다른 파장을 생성할 수 있는 레이저를 이용하여 간접 현상을 일으켜 나노패턴을 형성하고, 맥놀이 현상에 의한 마이크로 패턴을 동시에 형성할 수 있는 간섭 리소그래피 장치 및 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를 위해 서로 다른 파장을 갖는 레이저 빔을 발생시키는 멀티 레이져 광원부(100); 레이저 빔을 투과시키거나 반사시키는 편광식빔분리기(200); 투과된 서로 다른 파장의 상기 레이저 빔을 서로 공간적으로 분리하는 공간식빔분리기(300); 반전된 레이저 빔을 확장시키는 빔 확장기(400); 및 확장된 레이저 빔과 확장된 레이저 빔의 반사에 의해 서로 간섭을 일으킴으로써 제1패턴을 형성하고, 서로 다른 파장에 의한 파동의 간섭에 의해 새로운 합성파를 생성함으로써 제2패턴을 형성하는 패턴 생성부(500);를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로다인 간섭 리소그래피 장치가 개시된다.-
dc.title헤테로다인 간섭 리소그래피 장치, 그 장치를 이용한 미세패턴 형성방법, 웨이퍼 및 반도체 소자-
dc.title.alternativeHeterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor양민양-
dc.contributor.nonIdAuthor강봉철-
dc.contributor.nonIdAuthor이주형-
dc.contributor.nonIdAuthor김건우-
dc.contributor.nonIdAuthor노지환-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2011-0084000-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1229786-0000-
dc.date.application2011-08-23-
dc.date.registration2013-01-30-
dc.publisher.countryKO-
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ME-Patent(특허)
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