물리 공극을 갖는 그래핀 소자Graphene Device Having Physical Gap
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 문정훈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:42:48Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:42:48Z | - |
| dc.date.issued | 2013-01-16 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234565 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 그래핀이 가지는 높은 전자이동도를 그대로 유지하면서 그래핀에 밴드갭(band gap) 형성 없이 물리 공극을 이용하여 그래핀 소자의 오프 상태 전류(off-state current)를 획기적으로 감소시켜서 온/오프 전류비(on/off current ratio)를 획기적으로 증가시킬 수 있는 구조의 그래핀 소자에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 물리 공극을 갖는 그래핀 소자 | - |
| dc.title.alternative | Graphene Device Having Physical Gap | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 문정훈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0033753 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1224866-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-04-12 | - |
| dc.date.registration | 2013-01-16 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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