절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법phase-change memory device, flexible phase-change memory device using insulating nano-dot and manufacturing method for the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정연식 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:39:54Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:39:54Z | - |
| dc.date.issued | 2012-11-12 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234465 | - |
| dc.description.abstract | 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자는 전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | phase-change memory device, flexible phase-change memory device using insulating nano-dot and manufacturing method for the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 정연식 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0015021 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1202506-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-02-21 | - |
| dc.date.registration | 2012-11-12 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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