절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법phase-change memory device, flexible phase-change memory device using insulating nano-dot and manufacturing method for the same

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절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자는 전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2012-11-12
Application Date
2011-02-21
Application Number
10-2011-0015021
Registration Date
2012-11-12
Registration Number
10-1202506-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/234465
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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