커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법CAPACITORLESS DYNAMIC LANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF

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본 발명의 커패시터리스 디램 셀 제조방법은, 기판 상에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계; 및 상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계;를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2013-01-07
Application Date
2012-04-20
Application Number
10-2012-0041245
Registration Date
2013-01-07
Registration Number
10-1221445-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/234452
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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