나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 이를 이용한 수직배향형 액정표시소자

Abstract

본 발명은 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 이를 이용한 수직배향 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 이차적 스퍼터링 리소그래피의 반복공정을 통한 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상을 이용하여 투명전극에 고 분해능(high resolution)과 고 종횡비(high aspcet ratio)를 가지는 나노구조 패턴을 형성시킴으로써, 배향막 형성 없이 액정을 균일하게 수직배향시킬 수 있는 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 이를 이용한 수직배향 액정표시소자에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 제조됨으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 다양한 종횡비와 균일성을 가지는 액정의 프리틸트가 형성된 투명전극을 제조할 수 있고, 별도의 배향막을 형성하기 위한 공정이 생략될 수 있어 공정 간소화에 따른 비용 절감과 그에 따른 공정 시간 단출 및 제품 불량이 줄어드는 획기적인 효과를 가진다. 또한, 배향막 없이 투명전극으로 직접 액정을 수직 배향시킴으로써 광 투과성이 높을 뿐만 아니라, 저항값 또한 낮아 액정 배향 특성 및 안정성을 향상시켜 제품 성능을 개선시킬 수 있다.