핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법Hot Electron Based Nanodiode Sensor and Method for Preparing the Same
본 발명은 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광에너지를 측정하기 위해 쇼트키 다이오드 상에 유기염료 분자층이 증착되어 있는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 핫전자 기반의 나노다이오드 센서는 광반응을 쇼트키 다이오드를 이용하여 직접적으로 측정함으로써, 간단한 공정으로 나노다이오드 센서의 신뢰도와 민감도를 향상시킬 수 있고, 우수한 내구성으로 센서의 수명을 증가시킬 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-11-06
- Application Date
- 2012-01-10
- Application Number
- 10-2012-0003026
- Registration Date
- 2013-11-06
- Registration Number
- 10-1328569-0000
- Appears in Collection
- EEW-Patent(특허)
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