본 발명은 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 LCD용 TFT, SRAM, 태양전지, EEPROM 등의 반도체 소자의 제조에 사용되는 것으로서 비정질 규소 박막에 점도가 높은 금속용액을 이용하여 금속 성분을 흡착시킨 후 열처리함으로써 저온에서 대면적의 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판에 CVD법 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소 박막을 제조하는 공정; 금속원소 또는 금속 화합물을 점도가 높은 유기용매에 녹이거나 묽은 산 또는 물에 녹인 후 점도가 높은 유기용매와 혼합하여 금속용액을 제조하는 공정; 상기 비정질 규소 박막에 상기 금속용액의 피막을 형성하는 공정; 금속용액의 피막을 건조시켜 금속 성분을 흡착시키는 공정; 전기 공정을 통하여 얻은 금속 성분이 흡착된 비정질 규소 박막을 불활성기체 분위기 중에서 400℃에서 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다. 본 발명은 종래에 열처리 온도를 낮출 수 없는 금속들에도 적용이 가능하여 열처리 온도를 100℃ 이상 낮출 수 있게 되며 물방울이 형성되지 않게 제어하여 균일한 피막을 통해 금속을 흡착시킴으로써 공정의 균일성 및 재현성을 향상시킬 수 있다.