고부피분율 탄화규소 예비성형체의 제조방법Fabrication Process for Silicon Carbide Preform withHigh Volume Fraction

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dc.contributor.author홍순형ko
dc.date.accessioned2017-12-20T11:30:31Z-
dc.date.available2017-12-20T11:30:31Z-
dc.date.issued2002-06-07-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/234176-
dc.description.abstract본 발명은 금속복합재료에 사용되는 예비성형체의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 고부피분율 탄화규소(SiC) 예비성형체를 제조하는 방법은 볼밀링에 의해 SiC 입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계와, 상부금형 및 하부금형에 흡수체를 설치한 금형내부에 SiC 입자가 포함된 슬러리를 놓고 일축가압하여 슬러리의 잔류수분량을 감소시키는 단계와, 일축가압 후 잔류수분량이 감소된 SiC 입자가 포함된 슬러리를 건조하여 SiC 예비성형체를 제조하는 단계와, 이 예비성형체를 소성하는 단계로 이루어진다.본 발명은 예비성형체의 부피분율을 70 vol% 이상으로 향상시켜 고부피분율을 유지하면서 금속기지를 함침시켜 낮은 열팽창계수와 높은 열전도도가 요구되는 전자패키징 및 우주항공 산업용 부품의 생산을 위한 복합재료 제조용 기초소재로 광범위하게 사용하여 전자패키징 및 우주항공 산업용 부품인 고부가가치의 부품 국산화가 가능할 것으로 기대된다.-
dc.title고부피분율 탄화규소 예비성형체의 제조방법-
dc.title.alternativeFabrication Process for Silicon Carbide Preform withHigh Volume Fraction-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor홍순형-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2000-0016821-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-0341406-0000-
dc.date.application2000-03-31-
dc.date.registration2002-06-07-
dc.publisher.countryKO-
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MS-Patent(특허)
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