고부피분율 탄화규소 예비성형체의 제조방법Fabrication Process for Silicon Carbide Preform withHigh Volume Fraction
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 홍순형 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:30:31Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:30:31Z | - |
| dc.date.issued | 2002-06-07 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234176 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 금속복합재료에 사용되는 예비성형체의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 고부피분율 탄화규소(SiC) 예비성형체를 제조하는 방법은 볼밀링에 의해 SiC 입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계와, 상부금형 및 하부금형에 흡수체를 설치한 금형내부에 SiC 입자가 포함된 슬러리를 놓고 일축가압하여 슬러리의 잔류수분량을 감소시키는 단계와, 일축가압 후 잔류수분량이 감소된 SiC 입자가 포함된 슬러리를 건조하여 SiC 예비성형체를 제조하는 단계와, 이 예비성형체를 소성하는 단계로 이루어진다.본 발명은 예비성형체의 부피분율을 70 vol% 이상으로 향상시켜 고부피분율을 유지하면서 금속기지를 함침시켜 낮은 열팽창계수와 높은 열전도도가 요구되는 전자패키징 및 우주항공 산업용 부품의 생산을 위한 복합재료 제조용 기초소재로 광범위하게 사용하여 전자패키징 및 우주항공 산업용 부품인 고부가가치의 부품 국산화가 가능할 것으로 기대된다. | - |
| dc.title | 고부피분율 탄화규소 예비성형체의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication Process for Silicon Carbide Preform withHigh Volume Fraction | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 홍순형 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2000-0016821 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0341406-0000 | - |
| dc.date.application | 2000-03-31 | - |
| dc.date.registration | 2002-06-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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