ＳｉＧｅ 에피층의 산화막 형성방법

Abstract

본 발명은 SiGe 에피층의 산화막 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 SiGe/Si 이종접합구조의 산화막 형성방법에 관한 것이다.본 발명은 SiGe 에피층 내에서 Ge의 농도를 불균일하게 하고 이러한 SiGe 에피층과 Si층을 결합시킨 SiGe/Si 이종접합구조를 산화 및 열처리하여 Ge의 축적이나 결함이 없는 산화막을 형성함으로써SiGe/Si 이종접합구조를 이용한 전계효과 트렌지스터에 사용되는 산화막으로서, 기존 Si의 열적 산화 공정과 호환이 가능하여 추가의 장치를 필요로 하지않아 제작 비용이 저렴하고, 물성이 우수한 SiO2 산화막을 SiGe 에피층의 열적 산화를 통하여 제공하는 것을 목적으로 한다.