선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법

Abstract

개시된 본 발명은, 반도체 소자의 금속 배선과 MEMS 구조체 제작에 있어서, 도금 억제를 위해 절연 물질을 도포하는 다마신(damascene) 공정을 수행함으로써 화학적 기계적 연마 또는 추가적 리소그라피 작업 없이 원하는 곳에만 반도체 금속 배선을 제작하도록 함으로써, 안정적이고 비용 측면에서도 효과적이며, 간편한 공정을 제시하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체 기판상의 절연층에 구비된 비아와 트렌치에 금속 배선을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 비아와 트랜치가 구비된 제1 절연층의 전면에 금속 시드층을 증착하는 단계; (b) 상기 금속 시드층에 선택적으로 절연 물질을 접촉 인쇄하여 제2 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 금속 시드층에 전기 도금을 통하여 비아와 트렌치를 금속으로 채우는 단계; (d) 상기 제2 절연층을 제거하는 단계; (e) 상기 제2 절연층 아래의 상기 금속 시드층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.