저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조방법FABRICATION METHOD OF NANO ELECTRODE STRUCTURE USING LPCVD PROCESS
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이승섭 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:28:19Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:28:19Z | - |
| dc.date.issued | 2006-06-09 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234094 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조 방법은 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와, 실리콘 산화막에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 상부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 제조하고자 하는 전극 형상에 따라 식각하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와, 실리콘 기판에서 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 부분을 습식에칭하는 단계와, 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면에서 이격된 지점으로부터 실리콘막 함몰부를 향하여 금속재료를 증착시키는 단계로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 형상의 제약이 없이 나노 전극과 전극 패드를 제조할 수 있다. | - |
| dc.title | 저압화학 기상증착 공정을 이용한 나노 전극 구조물 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | FABRICATION METHOD OF NANO ELECTRODE STRUCTURE USING LPCVD PROCESS | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이승섭 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2005-0014298 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0590440-0000 | - |
| dc.date.application | 2005-02-22 | - |
| dc.date.registration | 2006-06-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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