DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 조성오 | ko |
dc.contributor.author | 이혁무 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:27:07Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:27:07Z | - |
dc.date.issued | 2013-04-10 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234049 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 비정질 루브렌 박막을 급속가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법은 종래의 고품질 결정질 필름으로 제조가 어려웠던 루브렌(rubrene)을 급속가열하는 간단한 공정만으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT) 특성을 보이는 결정질 필름으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조되는 루브렌 박막은 매우 높은 전하 이동도를 나타냄으로써 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 적용되어 고성능 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. | - |
dc.title | 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Preparation method of crystalline rubrene thin film using abrupt heating | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 조성오 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이혁무 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0004487 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1255648-0000 | - |
dc.date.application | 2011-01-17 | - |
dc.date.registration | 2013-04-10 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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